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世界のシリコンカーバイド（SiC）市場は2025年に38億3,000万米ドル規模となり、年平均成長率（CAGR）25.7%で成長し、2030年には120億3,000万米ドルに達するとMarketsandMarketsでは予測しています。

MarketsandMarkets（マーケッツアンドマーケッツ）「シリコンカーバイド（SiC）市場 – SiCディスクリートデバイス（SiCダイオードおよびSiC MOSFET）、SiCモジュール、電圧範囲（最大1,200 V、低電圧（1,200 V～1,700 V）、中電圧（1,700 V～3,300 V）、高電圧（3,300 V以上））、車載用SiCデバイス – 2030年までの世界予測 – Silicon Carbide (SiC) Market by SiC Discrete Device (SiC Diode and SiC MOSFET), SiC Module, Voltage Range (Up to 1,200 V, Low (1,200 V to 1,700 V), Medium (1,700 V to 3,300 V), High (More than 3,300 V)), Automotive SiC Device – Global Forecast to 2030」はシリコンカーバイド（炭化ケイ素／SiC）の世界市場を調査し、主要セグメント別に分析・予測を行っています。

【主な掲載内容】

• 市場概観
  • 市場ダイナミクス
  • サプライチェーン分析
  • エコシステム分析
  • 投資と資金調達シナリオ
  • 顧客のビジネスに影響を与える動向／ディスラプション
  • 技術分析
  • 価格分析
  • 主要ステークホルダーと購入基準
  • ファイブフォース分析
  • ケーススタディ分析
  • 貿易分析
  • 法規制環境
  • 主要会議とイベント　2024-2025年
  • 人工知能（AI）と生成AIがシリコンカーバイド市場に与える影響
  • 2025年の米国の関税措置がシリコンカーバイド市場に与える影響
• SiCデバイスの結晶構造
  • 立方晶（3C-SiC/閃亜鉛鉱）
  • 六方晶（4H-SiCおよび6H-SiC）
  • 菱面体晶（15R-SiC）
• SiCの原料タイプ
  • 緑色炭化ケイ素
  • 黒色炭素ケイ素
• 多様なウエハーサイズにおけるシリコンカーバイド市場動向
  • 150MM以上
  • 150MM未満
• デバイス別シリコンカーバイド市場
  • SiCディスクリートデバイス
  • SiCモジュール
• 業種別シリコンカーバイド市場
  • 自動車
    • 電気自動車
    • 充電施設
  • エネルギー＆発電
    • 再生可能エネルギー
    • エネルギー貯蔵システム
  • 工業
    • 鉄道
    • 航空宇宙＆船舶
  • 輸送
  • 電気通信
  • その他の業種
• 電圧範囲別シリコンカーバイド市場
  • 1,200以下
  • 1,200-1,700V
  • 1,701-3,300V
  • 3,300V超
• 地域
  • 北米
    • 米国
    • カナダ
    • メキシコ
  • 欧州
    • 英国
    • ドイツ
    • フランス
    • イタリア
    • スペイン
    • ポーランド
    • 北欧諸国
    • その他の欧州
  • アジア太平洋地域
    • 中国
    • 日本
    • 韓国
    • インド
    • オーストラリア
    • インドネシア
    • マレーシア
    • タイ
    • ベトナム
    • その他のアジア太平洋地域
  • その他の地域（RoW）
    • 中東
      • バーレーン
      • クウェート
      • オマーン
      • カタール
      • サウジアラビア
      • アラブ首長国連邦（UAE）
      • その他の中東
    • アフリカ
      • 南アフリカ
      • その他のアフリカ
    • 南米
• 競合勢力図
  • 主要プレイヤーの戦略／勝つ権利
  • 市場シェア分析　2024年
  • 企業評価と財務マトリクス
  • ブランド／製品比較
  • 主要プレイヤの収益分析　2020-2024年
  • 企業評価マトリクス：主要プレイヤ　2024年
  • 企業評価マトリクス：スタートアップ／中小企業　2024年
  • 競合シナリオと動向
• 企業情報

【レポート概要】
シリコンカーバイド（SiC）市場 - SiCディスクリートデバイス（SiCダイオードおよびSiC MOSFET）、SiCモジュール、電圧範囲（最大1,200 V、低電圧（1,200 V～1,700 V）、中電圧（1,700 V～3,300 V）、高電圧（3,300 V以上））、車載用SiCデバイス - 2030年までの世界予測
Silicon Carbide (SiC) Market by SiC Discrete Device (SiC Diode and SiC MOSFET), SiC Module, Voltage Range (Up to 1,200 V, Low (1,200 V to 1,700 V), Medium (1,700 V to 3,300 V), High (More than 3,300 V)), Automotive SiC Device - Global Forecast to 2030
出版：MarketsandMarkets
出版年月：2025年10月
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