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世界のモノリシックマイクロ波集積回路市場は自動車分野での採用が拡大し、2025年に145億3,000万米ドル規模となり、2025年から2030年の予測期間中には年平均成長率（CAGR）10.5%で成長し、2030年までに239億1,000万米ドルに達するとMarketsandMarketsでは予測しています。

「モノリシックマイクロ波集積回路市場 – 2030年までの世界予測」はモノリシックマイクロ波集積回路（MMIC）の世界市場を主要セグメント別に分析・予測しています。

主な調査対象セグメント

• コンポーネント
  • パワーアンプ
  • 低雑音増幅器
  • 減衰器（アッテネータ）
  • スイッチ
  • フェーズシフタ
  • ミキサー
  • 電圧制御発振器
  • 周波数逓倍器
• 材料タイプ
  • ガリウムヒ素
  • インジウムリン
  • インジウムガリウムリン
  • シリコンゲルマニウム
  • 窒化ガリウム
• 素子
  • 金属半導体電界効果トランジスタ
  • 高電子移動度トランジスタ
  • シュードモルフィックHEMT（pHEMT）
  • 強化モードpHEMT
  • メタモルフィックHEMT
  • ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
  • MOS
• 周波数帯
  • L帯 (1–2 GHZ)
  • S帯 (2–4 GHZ)
  • C帯 (4–8 GHZ)
  • X帯 (8–12 GHZ)
  • KU帯 (12–18 GHZ)
  • K帯 (18–27 GHZ)
  • KA帯 (26.5–40 GHZ)
  • V帯 (40–75 GHZ)
  • W帯 (75–110 GHZ)
• 用途
  • 家庭用電子機器／企業用電子機器
  • 無線通信インフラ
  • 自動車
  • 航空宇宙＆防衛
  • ケーブルテレビ＆有線ブロードバンド
  • 試験＆測定
  • その他
• 地域
  • 北米
  • 欧州
  • アジア太平洋地域
  • その他の地域（RoW）

【レポート概要】
モノリシックマイクロ波集積回路市場 - コンポーネント (パワーアンプ、ローノイズアンプ、スイッチ)、材料タイプ (GaAs、InP、GaN)、周波数帯域 (L、S、C、X、Ku、K、Ka、V、W)、テクノロジー (MESFET、HEMT、pHEMT、mHEMT、E-pHEMT) - 2030年までの世界予測
Monolithic Microwave IC Market by Component (Power Amplifiers, Low Noise Amplifiers, Switches), Material Type (GaAs, InP, GaN), Frequency Band (L, S, C, X, Ku, K, Ka, V, W), Technology (MESFET, HEMT, pHEMT, mHEMT, E- pHEMT) - Global Forecast to 2030
出版：MarketsandMarkets
出版年月：2024年2月
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