「トンネル電界効果トランジスタの世界市場予測(2024-2031)」市場調査資料を販売スタート
*****「トンネル電界効果トランジスタ(TFET)の世界市場予測(2024-2031)」市場調査レポートを取扱開始 *****
H&Iグローバルリサーチ株式会社(本社:東京都中央区)は、この度、DataM Intelligenceが調査・発行した「トンネル電界効果トランジスタ(TFET)の世界市場予測(2024-2031)」市場調査レポートの販売を2024年9月2日にMarketReport.jpサイトで開始しました。トンネル電界効果トランジスタ(TFET)の世界市場規模、市場動向、市場予測、関連企業情報などが含まれています。
***** 調査レポートの概要 *****
概要
トンネル電界効果トランジスタ(TFET)の世界市場は、2023年に9億4,990万米ドルに達し、2031年には22億5,300万米ドルに達すると予測され、予測期間2024-2031年のCAGRは11.4%で成長する見込みです。
グリーン技術、エネルギー効率、半導体技術革新を支援する政府プログラムはすべて、TFET市場の拡大を促進しています。資金提供の機会や奨励政策を通じて、研究センターや半導体企業はTFETの開発や商業化イニシアティブに参加するよう奨励されています。環境の持続可能性とエネルギー効率を優先する規制も、エネルギー消費量が非常に少ないTFETのような半導体技術の利用を促進しています。
競争環境
研究機関、競合他社、老舗企業を含む半導体業界の競争環境分析により、TFET技術の革新とチームワークが促進されます。業界コンソーシアム、合弁事業、ライセンス契約、戦略的パートナーシップは、TFETの研究開発と市場拡大を推進します。半導体企業、ファウンドリー、装置サプライヤー、研究機関の総合的な努力により、TFETの低価格化が進んでいます。
北米は、米国とカナダにおける半導体産業の急成長により、市場を支配している地域です。米国電気電子学会(Institute of Electrical and Electronics Engineers)のデータによると、テキサス・インスツルメンツ・インコーポレーテッド、インテル・コーポレーション、エヌビディア・コーポレーションは、米国における半導体産業の主要な参加企業です。北米の半導体部門は、産業需要の増加により急速に拡大しています。世界半導体貿易統計によると、2020年には半導体セクターは5.9%の成長が見込まれています。
市場動向
技術の進歩
従来の電界効果トランジスタ(FET)に対するTFET技術の主な利点の1つは、低消費電力と高いエネルギー効率を達成できることです。リーク電流の最小化、デバイス設計の改善、およびサブスレッショルド・スイングの低減が、TFET技術進歩の3つの主な目的です。この進歩の結果、消費電力の少ないTFETが実現し、エネルギー効率の高い電子機器やシステムにとって非常に望ましいものとなっています。さまざまな業界でエネルギー効率の高いソリューションに対する需要が高まっていることが、TFET市場の成長を後押ししています。
技術開発は、総合的な信頼性、オン状態電流、オフ状態リーク、スイッチング速度などのTFET性能指標を向上させます。ドーピング・プロファイル、デバイス・アーキテクチャ、材料、製造技術の向上により、TFETはより高い性能レベルを達成できるようになり、新たなアプリケーションの可能性が広がります。性能特性が向上したTFETは、市場の関心と採用が高まり、市場の成長を促進します。
世界的な半導体産業の急成長
創造性を奨励し、最先端の半導体技術を生み出すため、半導体業界は研究開発に多大なリソースを割いています。TFETの研究、試作、テストはすべてこれに含まれます。技術的な問題に取り組み、性能特性を改善し、TFETが使用されるアプリケーションのスペクトルを広げることによって、研究開発費はTFET技術の進歩に役立っています。
IEEEが提供するデータによると、IoTおよびAIデバイスの使用増加が半導体分野の大きな成長をもたらしています。半導体の売上げは、需給の変化や国際商取引をめぐる紛争も考慮すると、毎年わずかに拡大。半導体の売上高は、セクター全体の成長率が鈍化する中、2025年までに6,550億米ドルを超えると予測されています。
開発・生産コストの高さ
TFET技術の開発には、TFETデバイスと回路の設計、シミュレーション、試作、テストのための大規模な研究開発努力が必要です。研究開発段階では、材料研究、デバイス・モデリング、製造プロセスの最適化、設備取得、専門人材に関するコストが発生します。研究開発費の高騰は、特に資金力の乏しい新興企業や中小企業にとって、半導体企業の財務に影響を及ぼします。TFETの製造には、特殊な装置、クリーンルーム設備、高度な製造技術を必要とする複雑なプロセスが伴います。製造設備の設置や維持、半導体製造のための設備の取得、工程管理や品質保証の確保などにより、製造コスト全体が増加します。
TFETには、歪みシリコンやIII-V族化合物半導体などの高度な半導体材料やヘテロ構造が頻繁に使用されます。これらの材料は従来のシリコンに比べてコストが高いため、製造コストが増加します。さらに、高品質の材料を調達し、材料のサプライチェーンを管理し、TFET製造プロセスとの材料の互換性を確保することは、コストをさらに増加させる可能性があります。
セグメント分析
世界のトンネル電界効果トランジスタ(TFET)市場は、タイプ、アプリケーション、エンドユーザー、地域によって区分されます。
トンネル電界効果トランジスタ(TFET)市場では横方向トンネルが主流
タイプ別に見ると、トンネル電界効果トランジスタ(TFET)市場は横方向トンネル型と縦方向トンネル型に分類されます。
横方向TFETは、縦方向TFETや従来の電界効果トランジスタ(FET)よりも性能が優れています。電子デバイスの消費電力を削減し、エネルギー効率を向上させるために重要な、より低いサブスレッショルド・スイング値を達成することができます。ラテラルTFETの優れた性能特性は、低消費電力動作、高速スイッチング、総合性能の向上を必要とするアプリケーションにとって魅力的です。ラテラルTFETは、その拡張性と集積化能力で知られています。小型化、高密度化、高効率化を実現する電子部品として、先端半導体プロセスで頻繁に使用されています。
ウェアラブル・エレクトロニクス、モバイル・デバイス、モノのインターネット・デバイスなど、現代の半導体デバイスにおける小型化、高集積化、性能最適化のニーズに対応するためには、このスケーラビリティが極めて重要です。ラテラルTFETはその高速スイッチング能力により、高周波回路や信号処理などの高周波アプリケーションに適しています。低消費電力と高い周波数特性は、高速データ処理、高速データ転送、RF信号変調を必要とするアプリケーションに最適です。
地域別普及率
北米がトンネル電界効果トランジスタ(TFET)市場を独占
米国には、半導体装置ベンダーや確立されたサプライ・チェーン・ネットワークがあり、強固な半導体産業環境があります。効率的な製造、品質管理、拡張性により、この地域で操業するTFETメーカーの市場リーダーシップと競争力を支えています。半導体の研究開発への大規模な投資は北米で行われており、政府からの融資、企業セクターからの投資、学術的なパートナーシップによって支えられています。
北米では、エネルギー効率の高い電子機器、IoT機器、通信インフラ、データセンター、新興技術に対する強い需要が見られます。低消費電力特性、高速性能、IoTアプリケーションへの適合性で知られるTFETは、民生用電子機器、ヘルスケア、自動車、航空宇宙、防衛などの分野の市場需要に合致しており、同地域での市場支配に貢献しています。この地域のTFET市場は、技術革新、人材育成、知識移転を刺激するTFETなどの最先端半導体技術を中心とした研究プロジェクトによって成長しています。
競争環境分析
同市場における世界の主要企業には、Qorvo, Inc.、Texas Instruments, Inc.、Infineon Technologies AG、ON Semiconductor Corporation、Broadcom, Inc.、STMicroelectronics N.V.、Advanced Linear Devices, Inc.、Axcera, Inc.、Focus Microwaves, Inc.、Qualcommなどがあります。
COVID-19 影響分析
半導体セクターは、パンデミックの間、サプライチェーンで大きな問題を抱えました。各国の製造拠点の閉鎖や一時的な閉鎖は、半導体材料や部品の生産と流通を妨げました。TFETメーカーが必要な部品を見つけるのに苦労し、サプライチェーンの問題、価格の上昇、生産の遅れにつながった可能性があります。
流行病は消費者行動や新技術の採用傾向を変化させました。民生用電子機器や電話サービスに使われるような一部の半導体デバイスの需要は、流行中に変化しました。TFETは低消費電力アプリケーションやエネルギー効率の高いガジェットに有用であるため、効率、接続、デジタルトランスフォーメーションに高い優先順位を置く業界では、TFETの需要は安定しているか、あるいは伸びています。
ロシア・ウクライナ戦争の影響分析
半導体企業にとって、さまざまな国から材料や部品を調達するグローバルサプライチェーンは不可欠。紛争によって輸送ラインが妨げられ、半導体の流通や製造に遅れや不足が生じました。このため、TFETメーカーにとっては、必要な物資、機械、部品の入手が難しくなり、生産能力の低下やサプライチェーンの強化につながります。戦争による地政学的緊張と経済制裁の結果、ロシア、ウクライナ、近隣地域で活動する半導体企業は、商業関係、輸出入法、市場アクセスの面で影響を受けます。市場の不安定性、規制の変更、地政学的な不確実性は、これらの地域に事業所や依存関係を持つTFETメーカーに問題をもたらします。こうした課題は、市場戦略や事業拡大計画に影響を与えます。
紛争はまた、エネルギー価格の変動の一因となっており、特に天然ガスや電力といった重要な資源に影響を及ぼしています。エネルギーコストの上昇は、TFETメーカーの製造費用を増加させ、コスト圧力やマージンへの配慮につながる可能性があります。このような市場の変化に対応するため、企業は資源管理手順、エネルギー効率の高い技術、コスト最適化の取り組みを評価する必要があります。ロシア・ウクライナ戦争の広範な財務的影響には、市場の不安定化、インフレ圧力、通貨変動などが含まれます。マクロ経済の変動要因は、半導体部門に対する企業の信頼に影響を与えることで、TFET市場の成長と収益予想に影響を与えます。企業は、こうした経済的課題を効果的に乗り切るために、市場戦略、価格設定モデル、リスク管理アプローチを調整する必要があります。
タイプ別
– 横方向トンネル
– 垂直トンネル
アプリケーション別
– 低電力エレクトロニクス
– 高速スイッチング
– アナログ回路
エンドユーザー別
– 民生用エレクトロニクス
– 通信機器
– 自動車
– ヘルスケア
– その他
地域別
– 北米
o 米国
o カナダ
メキシコ
– ヨーロッパ
o ドイツ
イギリス
o フランス
o イタリア
o スペイン
o その他のヨーロッパ
– 南アメリカ
o ブラジル
o アルゼンチン
o その他の南米諸国
– アジア太平洋
o 中国
o インド
o 日本
o オーストラリア
o その他のアジア太平洋地域
– 中東およびアフリカ
主な開発
– 2024年1月1日、Amplia Infrastructuresは、トンネル内の損傷した表面を除去する特定のプロジェクト向けにMP 1000HDカッターヘッドを発売しました。この製品は、トンネル掘削用にカスタマイズされた35~60トンの掘削機用に設計されており、HDバージョンはMPとは異なります。
– 2021年4月14日、ボーリング・カンパニーはトンネル掘削用の製品とサービスを市場に投入しました。その第1号はラスベガスのコンベンションセンターに設置され、「ループ」と呼ばれています。ボーリング・カンパニーのループ・トンネルは大規模輸送用に設計されており、テスラ・モデル3やモデルXなどの自動車を収容することができます。
レポートを購入する理由
– 世界のトンネル電界効果トランジスタ(TFET)市場をタイプ、用途、エンドユーザー、地域に基づき細分化し、主要な商業資産とプレーヤーを理解するため。
– トレンドと共同開発の分析による商機の特定。
– トンネル電界効果トランジスタ(TFET)市場レベルの多数のデータを全セグメントでまとめたExcelデータシート。
– 徹底的な定性インタビューと綿密な調査後の包括的分析からなるPDFレポート。
– 主要プレイヤーの主要製品からなる製品マッピングをエクセルで提供。
世界のトンネル電界効果トランジスタ(TFET)市場レポートは、約62の表、53の図、182ページを提供します。
対象読者
– メーカー/バイヤー
– 業界投資家/投資銀行家
– 調査専門家
– 新興企業
...
***** 調査レポートの目次(一部抜粋) *****
1. 方法論と範囲
1.1. 調査方法
1.2. 調査目的と調査範囲
2. 定義と概要
3. エグゼクティブ・サマリー
3.1. タイプ別スニペット
3.2. 用途別スニペット
3.3. エンドユーザー別スニペット
3.4. 地域別スニペット
4. ダイナミクス
4.1. 影響要因
4.1.1. 推進要因
4.1.1.1. 技術の進歩
4.1.1.2. 世界的な半導体産業の急成長
4.1.2. 阻害要因
4.1.2.1. 開発・生産コストの高さ
4.1.3. 機会
4.1.4. 影響分析
5. 産業分析
5.1. ポーターのファイブフォース分析
5.2. サプライチェーン分析
5.3. 価格分析
5.4. 規制分析
5.5. ロシア・ウクライナ戦争の影響分析
5.6. DMI意見
6. COVID-19分析
6.1. COVID-19の分析
6.1.1. COVID-19以前のシナリオ
6.1.2. COVID-19開催中のシナリオ
6.1.3. COVID-19後のシナリオ
6.2. COVID-19中の価格ダイナミクス
6.3. 需給スペクトラム
6.4. パンデミック時の市場に関連する政府の取り組み
6.5. メーカーの戦略的取り組み
6.6. 結論
7. タイプ別
7.1. はじめに
7.1.1. 市場規模分析および前年比成長率分析(%), タイプ別
7.1.2. 市場魅力度指数(タイプ別
7.2. ラテラルトンネリング
7.2.1. 導入
7.2.2. 市場規模分析と前年比成長率分析(%)
7.3. 垂直トンネル
8. 用途別
8.1. 導入
8.1.1. 用途別市場規模分析および前年比成長率分析(%)
8.1.2. 市場魅力度指数、用途別
8.2. ローパワーエレクトロニクス
8.2.1. 序論
8.2.2. 市場規模分析と前年比成長率分析(%)
8.3. 高速スイッチング
8.4. アナログ回路
9. エンドユーザー別
9.1. はじめに
9.1.1. 市場規模分析および前年比成長率分析(%), エンドユーザー別
9.1.2. 市場魅力度指数、エンドユーザー別
9.2. コンシューマーエレクトロニクス*市場
9.2.1. 序論
9.2.2. 市場規模分析と前年比成長率分析(%)
9.3. 電気通信
9.4. 自動車
9.5. ヘルスケア
9.6. その他
10. 地域別
10.1. はじめに
10.1.1. 地域別市場規模分析および前年比成長率分析(%)
10.1.2. 市場魅力度指数、地域別
10.2. 北米
10.2.1. 序論
10.2.2. 主な地域別ダイナミクス
10.2.3. 市場規模分析および前年比成長率分析(%), タイプ別
10.2.4. 市場規模分析とYoY成長率分析(%), アプリケーション別
10.2.5. 市場規模分析および前年比成長率分析 (%)、エンドユーザー別
10.2.6. 市場規模分析および前年比成長率分析(%)、国別
10.2.6.1. 米国
10.2.6.2. カナダ
10.2.6.3. メキシコ
10.3. ヨーロッパ
10.3.1. はじめに
10.3.2. 主な地域別ダイナミクス
10.3.3. 市場規模分析および前年比成長率分析(%), タイプ別
10.3.4. 市場規模分析とYoY成長率分析(%)、用途別
10.3.5. 市場規模分析および前年比成長率分析 (%)、エンドユーザー別
10.3.6. 市場規模分析および前年比成長率分析(%)、国別
10.3.6.1. ドイツ
10.3.6.2. イギリス
10.3.6.3. フランス
10.3.6.4. イタリア
10.3.6.5. スペイン
10.3.6.6. その他のヨーロッパ
10.4. 南米
10.4.1. はじめに
10.4.2. 地域別主要市場
10.4.3. 市場規模分析および前年比成長率分析(%), タイプ別
10.4.4. 市場規模分析とYoY成長率分析(%)、用途別
10.4.5. 市場規模分析および前年比成長率分析 (%)、エンドユーザー別
10.4.6. 市場規模分析および前年比成長率分析(%)、国別
10.4.6.1. ブラジル
10.4.6.2. アルゼンチン
10.4.6.3. その他の南米諸国
10.5. アジア太平洋
10.5.1. 序論
10.5.2. 主な地域別ダイナミクス
10.5.3. 市場規模分析および前年比成長率分析(%), タイプ別
10.5.4. 市場規模分析とYoY成長率分析(%), アプリケーション別
10.5.5. 市場規模分析および前年比成長率分析 (%)、エンドユーザー別
10.5.6. 市場規模分析および前年比成長率分析(%)、国別
10.5.6.1. 中国
10.5.6.2. インド
10.5.6.3. 日本
10.5.6.4. オーストラリア
10.5.6.5. その他のアジア太平洋地域
10.6. 中東・アフリカ
10.6.1. 序論
10.6.2. 主な地域別ダイナミクス
10.6.3. 市場規模分析および前年比成長率分析(%), タイプ別
10.6.4. 市場規模分析とYoY成長率分析(%)、用途別
10.6.5. 市場規模分析および前年比成長率分析(%), エンドユーザー別
11. 競合情勢
11.1. 競争シナリオ
11.2. 市場ポジショニング/シェア分析
11.3. M&A分析
12. 企業プロフィール
12.1. Qorvo, Inc.*
12.1.1. 企業概要
12.1.2. 製品ポートフォリオ&説明
12.1.3. 財務概要
12.1.4. 主な進展
12.2. Texas Instruments, Inc.
12.3. Infineon Technologies AG
12.4. ON Semiconductor Corporation
12.5. Broadcom, Inc
12.6. STMicroelectronics N.V.
12.7. Advanced Linear Devices, Inc.
12.8. Axcera, Inc.
12.9. Focus Microwaves, Inc.
12.10. Qualcomm
リストは網羅的ではありません
13. 付録
13.1. 当社とサービス
13.2. お問い合わせ
※「トンネル電界効果トランジスタ(TFET)の世界市場予測(2024-2031)」調査レポートの詳細紹介ページ
⇒https://www.marketreport.jp/global-tunnel-fieldeffect-transistor-tfet-datm24my3070
※その他、DataM Intelligence社調査・発行の市場調査レポート一覧
⇒https://www.marketreport.jp/datam-intelligence
⇒https://www.marketreport.jp/datam-intelligence-list
(H&Iグローバルリサーチ(株)はDataM Intelligence社の日本における販売代理店です。DataM Intelligence社発行の全てのレポートを取り扱っています。)
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